Q.522020년2회3과목 · 전기기기🔖 저장🚨 오류신고\(\mathrm{IGBT}\)(Insulated Gate Bipolar Transistor)에 대한 설명으로 틀린 것은?1MOSFET와 같이 전압 제어 소자이다.2GTO 사이리스터와 같이 역방향 전압 저지 특성을 갖는다.3게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT보다 구동하기 쉽다.4BJT처럼 on-drop이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하며, MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있다.정답: 3번 · 게이트와 에미터 사이의 입력 임피던스가 매우 낮아 BJT보다 구동하기 쉽다.해설해설 불러오는 중…정답 확인